Фотоемісія з різних гранів монокристалів арсеніда галія
DOI:
https://doi.org/10.33216/1998-7927-2022-272-2-99-105Ключові слова:
грані монокристала, фотоемісія, квантовий вихід, розподіл фотоелектронів за енергіями, робота виходу, загин зон, електронна спорідненість, напівпровідникиАнотація
Відомо, що іноді розділи науки переживають періоди швидкого розвитку, зумовлені появою якісно нових ідей, аналітичних приладів для отримання експериментальних результатів, а також удосконалення методів вимірів. Яскравий тому приклад – оптична спектроскопія, яка з появою лазерних джерел світла значно змінилася. Поряд з інтенсивним розвитком класичних напрямів у науці виникли нові методи та додатки. Серед нових напрямів особливе місце займає статистичний та спектральний аналіз світлових полів за допомогою фотодетекторів – спектроскопія оптичного усунення. Експериментальні методи спектроскопії оптичного зміщення, зокрема дослідження статистики фотовідліків, викликали перед експериментаторами певні вимоги до ефективних фотоприймачів. У цій роботі розглядаються методи та способи отримання таких фотоприймачів і залежність роботи таких фотоприймачів від орієнтації граней поверхні монокристалу. Напівпровідникові з'єднання А3В5 у перспективі є найперспективнішими для подальшого докладного розгляду.У цьому відношенні арсенід галію є напівпровідниковим з'єднанням, утвореним елементами III і V груп періодичної системи – галієм Ga та миш'яком As. Арсенід галію є найближчим бінарним аналогом германію. Введенням відповідних домішок арсенід галію може бути отриманий з провідністю як n-типу, так і p-типу з різними концентраціями носіїв струму. Ця структура належить кристалографічного класу кубічної системи. Арсенід галію кристалізується в структурі цинкової обманки. Хімічний зв'язок в арсеніді галію ковалентний з деякою часткою іонності. Внаслідок наявності частки іонності кристали арсеніду галію розколюються лише вздовж площини Центру симетрії немає. Відсутність центру симетрії призводить до того, що в арсеніді галію у напрямках з'являються полярні осі. З усього сказаного випливає великий інтерес до вивчення енергетичної структури монокристалу арсеніду галію з різних граней, і цейнапівпровідник, як обраний матеріал для дослідження, є одним з перспективних напівпровідникових кристалів у мікро- та нанотехнологіях. оскільки використовується при отриманні холодних катодів, катодів з негативною електронною спорідненістю, інфрачервоних приймачів електромагнітного випромінювання.
Посилання
1. Борбавт А.М., Горбань И.С., Охрименко Б.А. и др. Оптические измерения. К.: Техніка. 1997, с. 419.
2. Eden R.C., Mool J.L., Spscer W.E. Photomission from GaAs of p-type at adsorption cesium and oxygen. Phy7s. Rev. Lett. 1967, 18, p. 597 – 604
3. Кулышев А.М., Черникова И.Д., Черников Н.Г. Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов. Вісник СНУ ім. В. Даля, 2016. №2(226). С. 112–123.
4. White J.G., Roth W.C. Reculiarities of chemical etching of the GaAs surface. J. Appl. Phys., 30. 1959, p. 946 –948.
5. Chernicov N.G., Arsenjeva-Geil A.N. Effect of Cjnditions at the Surface on the size of the Surface spacecharge laver in Gallium Arsenide. Sov. Phys. Solid State, 1975. p. 2091–2094.
6. Кесаманлы Ф.П., Наследов Д.Н. Арсенид галлия. Наука. 12973, с.289.
7. Музер Ф., Пирсон В.Б. Полупроводниковые pseudopo-tential вещества (вопросы химической связи). Иностранная литература. М.: 1960, с. 425.
8. Черников Н.Г., Арсеньева-Гейль А.Н. Влияние условий на поверхности на величину приповерхностного объемного заряда в арсениде галлия. Физика твердого тела, том 16, выпуск 11. 1974, с.3388–3390.
9. Bergstresser T.K., Cohen M.L.Calculation of area structure of GaAs by the method of. Phys.Rev. 1966, 141, p. 789–798.
10. Кулышев А.М., Черникова И.Д., Черников Н.Г. Нанометрический корпускулярный фотоэжлектронный спектрометр. Вісник СНУ ім. В. Даля.2015, №5(222). С. 40 – 45
11. Mac Rae A.U., Bull C.W. Vetering thermioinic work function of the p-rype single crystal GaAs by Kerlvin. Amer, Phya. Sec., 2005, 10. p. 168 – 173.
12. Люзе Л.Л., Духанина Р.Я. Работа выхода граней А и В поверхности арсенида галлия. Физика твердого тела, том 41, выпуск 7. 2000. С. 2096 – 2101.
